MOSFET SI1471DH-T1-GE3 P-kanálový 2.8 A 30 V, SOT-363 (SC-70), počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,5 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2mm
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
1.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,5 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2mm
Breite
1.25mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products