MOSFET SI1553CDL-T1-GE3 N/P-kanálový-kanálový 400 mA, 700 mA 20 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
400 mA, 700 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,48 Ω, 578 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
340 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,2 nC při 10 V, 1,9 nC při 10 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,09
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 0,09
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
400 mA, 700 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,48 Ω, 578 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
340 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,2 nC při 10 V, 1,9 nC při 10 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Duální N/P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products