Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
156 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.09 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,5 nC při 10 V
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 60 až 90 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 3,08
€ 0,154 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 3,08
€ 0,154 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
156 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.09 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
1.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,5 nC při 10 V
Höhe
1.02mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku