MOSFET SI2318CDS-T1-GE3 N-kanálový 5,6 A 40 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
51 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
2,1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,8 nC při 10 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,33
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
20
€ 0,33
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
20
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,33 | € 6,60 |
| 200 - 480 | € 0,31 | € 6,20 |
| 500 - 980 | € 0,28 | € 5,60 |
| 1000 - 1980 | € 0,26 | € 5,20 |
| 2000+ | € 0,25 | € 5,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
51 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
2,1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
5,8 nC při 10 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products