MOSFET SI2333DDS-T1-GE3 P-kanálový 6 A 12 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
19 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 8 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 37,10
€ 0,371 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 37,10
€ 0,371 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,371 | € 3,71 |
| 500 - 990 | € 0,336 | € 3,36 |
| 1000 - 2490 | € 0,316 | € 3,16 |
| 2500+ | € 0,296 | € 2,96 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
19 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 8 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
1.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products