Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
67.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23,8 nC při 8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,28
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,28
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
50 - 450 | € 0,28 | € 14,00 |
500 - 1200 | € 0,19 | € 9,50 |
1250 - 2450 | € 0,15 | € 7,50 |
2500 - 4950 | € 0,14 | € 7,00 |
5000+ | € 0,11 | € 5,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
67.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23,8 nC při 8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku