Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,36
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 0,36
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,36 | € 7,20 |
200 - 480 | € 0,27 | € 5,40 |
500 - 980 | € 0,25 | € 5,00 |
1000 - 1980 | € 0,21 | € 4,20 |
2000+ | € 0,18 | € 3,60 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
165 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
1.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
3.04mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 8 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.02mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku