MOSFET SI3447CDV-T1-GE3 P-kanálový 6,2 A 12 V, TSOP, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
TSOP-1
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
68 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 8 V
Breite
1.7mm
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
20
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
TSOP-1
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
68 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 8 V
Breite
1.7mm
Počet prvků na čip
1
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products