Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
TSOP-1
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
53 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
4,2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
TSOP-1
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
53 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
4,2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku