Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
51 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3.6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34,8 nC při 8 V
Höhe
1mm
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET P-Channel, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,16
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,16
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
3000 - 3000 | € 0,16 | € 480,00 |
6000+ | € 0,15 | € 450,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
51 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3.6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34,8 nC při 8 V
Höhe
1mm
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku