řada: TrenchFETMOSFET SI3493DDV-T1-GE3 P-kanálový 8 A 20 V, TSOP-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
51 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3.6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34,8 nC při -8 V
Höhe
1mm
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET P-Channel, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,32
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 0,32
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,32 | € 8,00 |
| 250 - 600 | € 0,30 | € 7,50 |
| 625 - 1225 | € 0,27 | € 6,75 |
| 1250 - 2475 | € 0,25 | € 6,25 |
| 2500+ | € 0,24 | € 6,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
TSOP-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
51 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3.6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Breite
1.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34,8 nC při -8 V
Höhe
1mm
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET P-Channel, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products