řada: ThunderFETMOSFET SI4090DY-T1-GE3 N-kanálový 20 A 100 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
ThunderFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
7.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
45,6 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový MOSFET, střední napětí/ThunderFET®, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 6,08
€ 1,216 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 6,08
€ 1,216 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,216 | € 6,08 |
| 50 - 120 | € 1,19 | € 5,95 |
| 125 - 245 | € 0,898 | € 4,49 |
| 250 - 495 | € 0,742 | € 3,71 |
| 500+ | € 0,584 | € 2,92 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
ThunderFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
7.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
45,6 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový MOSFET, střední napětí/ThunderFET®, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products