řada: ThunderFETMOSFET SI4090DY-T1-GE3 N-kanálový 20 A 100 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
ThunderFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
7.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
45,6 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový MOSFET, střední napětí/ThunderFET®, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 1 374,00
€ 0,55 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 1 374,00
€ 0,55 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
ThunderFET
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
12 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
7.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
45,6 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový MOSFET, střední napětí/ThunderFET®, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products