MOSFET SI4116DY-T1-GE3 N-kanálový 12.7 A 25 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,5 nC při 4,5 V, 37 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,12
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 1,12
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,12 | € 5,60 |
| 50 - 245 | € 1,05 | € 5,25 |
| 250 - 495 | € 0,95 | € 4,75 |
| 500 - 1245 | € 0,90 | € 4,50 |
| 1250+ | € 0,84 | € 4,20 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17,5 nC při 4,5 V, 37 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products