MOSFET SI4116DY-T1-GE3 N-kanálový 12.7 A 25 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 710-3317PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI4116DY-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

12.7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

9 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.6V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

17,5 nC při 4,5 V, 37 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.55mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 43,80

€ 0,876 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI4116DY-T1-GE3 N-kanálový 12.7 A 25 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 43,80

€ 0,876 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI4116DY-T1-GE3 N-kanálový 12.7 A 25 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
50 - 245€ 0,876€ 4,38
250 - 495€ 0,792€ 3,96
500 - 1245€ 0,746€ 3,73
1250+€ 0,70€ 3,50

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

12.7 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

25 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

9 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.6V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

17,5 nC při 4,5 V, 37 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

1.55mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more