MOSFET Si4134DY-T1-GE3 N-kanálový 9,9 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15,4 nC při 10 V, 7,3 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,66
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
€ 0,66
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,66 | € 6,60 |
| 100 - 240 | € 0,62 | € 6,20 |
| 250 - 490 | € 0,56 | € 5,60 |
| 500 - 990 | € 0,53 | € 5,30 |
| 1000+ | € 0,50 | € 5,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15,4 nC při 10 V, 7,3 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products