MOSFET SI4162DY-T1-GE3 N-kanálový 13,6 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 710-3323PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI4162DY-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

13.6 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

8 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

20 nC při 10 V, 8,8 nC při 4,5 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 35,00

€ 0,70 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI4162DY-T1-GE3 N-kanálový 13,6 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 35,00

€ 0,70 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI4162DY-T1-GE3 N-kanálový 13,6 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaCievka
50 - 245€ 0,70€ 3,50
250 - 495€ 0,634€ 3,17
500 - 1245€ 0,596€ 2,98
1250+€ 0,56€ 2,80

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

13.6 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

8 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

20 nC při 10 V, 8,8 nC při 4,5 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať