MOSFET SI4162DY-T1-GE3 N-kanálový 13,6 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V, 8,8 nC při 4,5 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 41,60
€ 0,832 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 41,60
€ 0,832 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 0,832 | € 4,16 |
| 250 - 495 | € 0,754 | € 3,77 |
| 500 - 1245 | € 0,708 | € 3,54 |
| 1250+ | € 0,666 | € 3,33 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
13.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V, 8,8 nC při 4,5 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products