Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
33 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 10 V
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,52
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 0,52
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
20 - 180 | € 0,52 | € 10,40 |
200 - 480 | € 0,41 | € 8,20 |
500 - 980 | € 0,39 | € 7,80 |
1000 - 1980 | € 0,33 | € 6,60 |
2000+ | € 0,28 | € 5,60 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
33 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 10 V
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku