MOSFET SI4190ADY-T1-GE3 N-kanálový 18 A 100 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44,4 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,60
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 0,60
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
6 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44,4 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products