MOSFET SI4435DDY-T1-GE3 P-kanálový 8.1 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 710-3339PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI4435DDY-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

24 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 4,5 V, 32 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 60,20

€ 0,602 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI4435DDY-T1-GE3 P-kanálový 8.1 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 60,20

€ 0,602 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI4435DDY-T1-GE3 P-kanálový 8.1 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
100 - 490€ 0,602€ 6,02
500 - 990€ 0,506€ 5,06
1000 - 2490€ 0,478€ 4,78
2500+€ 0,444€ 4,44

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

8.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

24 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 4,5 V, 32 nC při 10 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more