Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
24 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 4,5 V, 32 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 60,20
€ 0,602 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 60,20
€ 0,602 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
100 - 490 | € 0,602 | € 6,02 |
500 - 990 | € 0,506 | € 5,06 |
1000 - 2490 | € 0,478 | € 4,78 |
2500+ | € 0,444 | € 4,44 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
24 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 4,5 V, 32 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku