Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.7 A, 7.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ, 50 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
1.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, -12 V, +12 V, +16 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,5 nC při 10 V, 17 nC při 10 V
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Krajina pôvodu
China
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
10
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.7 A, 7.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
14 mΩ, 50 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
1.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, -12 V, +12 V, +16 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11,5 nC při 10 V, 17 nC při 10 V
Breite
4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.55mm
Krajina pôvodu
China