Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.4 A, 5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 Ω, 122 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
2.75 W, 2.95 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 20 V, 8 nC při 20 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
China
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.4 A, 5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
70 Ω, 122 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
2.75 W, 2.95 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-16 V, +16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 20 V, 8 nC při 20 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.5mm
Krajina pôvodu
China


