Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
18.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,7 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
18.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,7 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
5mm
Breite
4mm
Höhe
1.55mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku