MOSFET SI4800BDY-T1-E3 N-kanálový 6.5 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8

Skladové číslo RS: 710-3351PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI4800BDY-T1-E3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

18.5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.8V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-25 V, +25 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

8,7 nC při 5 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

5mm

Breite

4mm

Höhe

1.55mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI4800BDY-T1-E3 N-kanálový 6.5 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI4800BDY-T1-E3 N-kanálový 6.5 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6.5 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

18.5 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.8V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-25 V, +25 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

8,7 nC při 5 V

Počet prvků na čip

1

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Länge

5mm

Breite

4mm

Höhe

1.55mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať