MOSFET SI5419DU-T1-GE3 P-kanálový 9,9 A 30 V, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 818-1312Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI5419DU-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

33 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

31 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.98mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.08mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

30 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.85mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 5,17

€ 0,258 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET SI5419DU-T1-GE3 P-kanálový 9,9 A 30 V, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 5,17

€ 0,258 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)

MOSFET SI5419DU-T1-GE3 P-kanálový 9,9 A 30 V, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

9.9 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

33 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

31 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

1.98mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.08mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

30 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

0.85mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more