Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PowerPAK ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.47 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
31 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
26,2 nC při 10 V
Breite
1.9mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
0.8mm
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PowerPAK ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.47 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
31 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
26,2 nC při 10 V
Breite
1.9mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
0.8mm
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Podrobnosti o výrobku