řada: TrenchFETMOSFET SI5515CDC-T1-GE3 N/P-kanálový-kanálový 4 A 20 V, 1206 ChipFET, počet kolíků: 8 dvojitý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
1206 ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.05 O, 0.156 O
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Řada
TrenchFET
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,37
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,37
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N, P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
1206 ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.05 O, 0.156 O
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Řada
TrenchFET
Krajina pôvodu
China
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products