Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
1206 ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.12 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,5 nC při 10 V
Breite
1.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
1206 ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.12 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,5 nC při 10 V
Breite
1.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China