MOSFET SI5935CDC-T1-GE3 P-kanálový 3,8 A 20 V, 1206 ChipFET, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
1206 ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
156 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 5 V
Breite
1.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,48
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
€ 0,48
Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
20
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,48 | € 9,60 |
| 200 - 480 | € 0,45 | € 9,00 |
| 500 - 980 | € 0,41 | € 8,20 |
| 1000 - 1980 | € 0,38 | € 7,60 |
| 2000+ | € 0,36 | € 7,20 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
1206 ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
156 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 5 V
Breite
1.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products