MOSFET SI5936DU-T1-GE3 N-kanálový 6 A 30 V, PowerPAK ChipFET, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
10.4 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.08mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 10 V
Breite
1.98mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
0.85mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
40 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
10.4 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.08mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7 nC při 10 V
Breite
1.98mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Höhe
0.85mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products