Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
88 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
10.4 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.98mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.08mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,5 nC při 10 V
Höhe
0.85mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK ChipFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
88 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
10.4 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
1.98mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.08mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,5 nC při 10 V
Höhe
0.85mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China