MOSFET SI7149ADP-T1-GE3 P-kanálový 18 A 30 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
48 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
90 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.07mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 12,36
€ 0,618 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 12,36
€ 0,618 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,618 | € 12,36 |
| 200 - 480 | € 0,588 | € 11,75 |
| 500 - 980 | € 0,494 | € 9,89 |
| 1000 - 1980 | € 0,464 | € 9,28 |
| 2000+ | € 0,432 | € 8,65 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
48 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Länge
5.99mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
90 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.07mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products