Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
115 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,5 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.05mm
Breite
3.05mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
1.04mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,36
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 0,36
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PowerPAK 1212-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
115 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14,5 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.05mm
Breite
3.05mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Höhe
1.04mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku