MOSFET SI9945BDY-T1-GE3 N-kanálový 5,3 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
72 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,75
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
€ 0,75
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,75 | € 7,50 |
| 100 - 240 | € 0,70 | € 7,00 |
| 250 - 490 | € 0,63 | € 6,30 |
| 500 - 990 | € 0,60 | € 6,00 |
| 1000+ | € 0,56 | € 5,60 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
72 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
13 nC při 10 V
Breite
4mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Höhe
1.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products