MOSFET SI9945BDY-T1-GE3 N-kanálový 5,3 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 919-4189Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI9945BDY-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

72 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

3.1 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

13 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Podrobnosti o výrobku

Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

MOSFET SI9945BDY-T1-GE3 N-kanálový 5,3 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si

P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)

MOSFET SI9945BDY-T1-GE3 N-kanálový 5,3 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

5.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

72 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

3.1 W

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

2

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

13 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Taiwan, Province Of China

Podrobnosti o výrobku

Dvoukanálový MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať