Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Řada
EF Series
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
123 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
80 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET s technologií Fast Diode, řada EF, společnost Vishay Semiconductor
Zkrácená doba obnovení pro jízdu vzad, plnicí dávka pro jízdu vzad a obnovovací proud pro jízdu vzad
Nízká kvalita (FOM)
Nízká vstupní kapacita (Ciss)
Zvýšená robustnost díky nízkému zatížení reverzního systému
Mimořádně nízký náboj řídicí elektrody (Qg)
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,15
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 2,15
Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Řada
EF Series
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
123 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
250 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
80 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET s technologií Fast Diode, řada EF, společnost Vishay Semiconductor
Zkrácená doba obnovení pro jízdu vzad, plnicí dávka pro jízdu vzad a obnovovací proud pro jízdu vzad
Nízká kvalita (FOM)
Nízká vstupní kapacita (Ciss)
Zvýšená robustnost díky nízkému zatížení reverzního systému
Mimořádně nízký náboj řídicí elektrody (Qg)