řada: EF SeriesMOSFET SIHF28N60EF-GE3 N-kanálový 28 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
EF Series
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
123 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
39 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
80 nC při 10 V
Höhe
16.12mm
Propustné napětí diody
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET s technologií Fast Diode, řada EF, společnost Vishay Semiconductor
Zkrácená doba obnovení pro jízdu vzad, plnicí dávka pro jízdu vzad a obnovovací proud pro jízdu vzad
Nízká kvalita (FOM)
Nízká vstupní kapacita (Ciss)
Zvýšená robustnost díky nízkému zatížení reverzního systému
Mimořádně nízký náboj řídicí elektrody (Qg)
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
EF Series
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
123 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
39 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
80 nC při 10 V
Höhe
16.12mm
Propustné napětí diody
1.2V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET s technologií Fast Diode, řada EF, společnost Vishay Semiconductor
Zkrácená doba obnovení pro jízdu vzad, plnicí dávka pro jízdu vzad a obnovovací proud pro jízdu vzad
Nízká kvalita (FOM)
Nízká vstupní kapacita (Ciss)
Zvýšená robustnost díky nízkému zatížení reverzního systému
Mimořádně nízký náboj řídicí elektrody (Qg)
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products