Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
D Series
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, řada D s vysokým napětím, Vishay Semicondu
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 6,18
€ 1,236 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 6,18
€ 1,236 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
D Series
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.8mm
Podrobnosti o výrobku