MOSFET SIHF9620S-GE3 P-kanálový 2 A 200 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,83
€ 0,883 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 8,83
€ 0,883 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,883 | € 8,83 |
| 100 - 240 | € 0,664 | € 6,64 |
| 250 - 490 | € 0,548 | € 5,48 |
| 500 - 990 | € 0,486 | € 4,86 |
| 1000+ | € 0,462 | € 4,62 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
22 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products