řada: D SeriesMOSFET SIHG25N40D-GE3 N-kanálový 25 A 400 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Řada
D Series
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
278 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.31mm
Länge
15.87mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44,4 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.82mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, řada D s vysokým napětím, Vishay Semicondu
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 64,66
€ 2,586 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
25
€ 64,66
€ 2,586 Each (In a Tube of 25) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
25
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 25 - 25 | € 2,586 | € 64,66 |
| 50 - 100 | € 2,431 | € 60,78 |
| 125+ | € 2,198 | € 54,96 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
25 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Řada
D Series
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
278 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.31mm
Länge
15.87mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44,4 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.82mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, řada D s vysokým napětím, Vishay Semicondu
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products