řada: EF SeriesMOSFET SiHG33N60EF-GE3 N-kanálový 33 A 600 V, TO-247AC, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
33 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
EF Series
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
98 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
278 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.87mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
103 nC při 10 V
Breite
5.31mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
20.82mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET s technologií Fast Diode, řada EF, společnost Vishay Semiconductor
Zkrácená doba obnovení pro jízdu vzad, plnicí dávka pro jízdu vzad a obnovovací proud pro jízdu vzad
Nízká kvalita (FOM)
Nízká vstupní kapacita (Ciss)
Zvýšená robustnost díky nízkému zatížení reverzního systému
Mimořádně nízký náboj řídicí elektrody (Qg)
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 6,02
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
€ 6,02
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
1
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,02 |
| 10 - 24 | € 5,66 |
| 25 - 49 | € 5,12 |
| 50 - 99 | € 4,81 |
| 100+ | € 4,51 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
33 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
EF Series
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
98 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
278 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.87mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
103 nC při 10 V
Breite
5.31mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Höhe
20.82mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET s technologií Fast Diode, řada EF, společnost Vishay Semiconductor
Zkrácená doba obnovení pro jízdu vzad, plnicí dávka pro jízdu vzad a obnovovací proud pro jízdu vzad
Nízká kvalita (FOM)
Nízká vstupní kapacita (Ciss)
Zvýšená robustnost díky nízkému zatížení reverzního systému
Mimořádně nízký náboj řídicí elektrody (Qg)
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products