řada: D SeriesMOSFET SIHP8N50D-GE3 N-kanálový 8,7 A 500 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8,7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
D Series
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
156 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.51mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
4.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.01mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, řada D s vysokým napětím, Vishay Semicondu
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,27
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,27
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,27 | € 6,35 |
| 50 - 120 | € 1,14 | € 5,70 |
| 125 - 245 | € 1,01 | € 5,05 |
| 250 - 495 | € 0,95 | € 4,75 |
| 500+ | € 0,89 | € 4,45 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8,7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
D Series
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
156 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
10.51mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Breite
4.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.01mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, řada D s vysokým napětím, Vishay Semicondu
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products