Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
27 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
69 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
59 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
5.26mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 11,16
€ 1,116 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 11,16
€ 1,116 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,116 | € 11,16 |
| 100 - 240 | € 1,051 | € 10,51 |
| 250 - 490 | € 0,949 | € 9,49 |
| 500 - 990 | € 0,893 | € 8,93 |
| 1000+ | € 0,838 | € 8,38 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
27 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
4.2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
69 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
59 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
5.26mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


