MOSFET SIR416DP-T1-GE3 N-kanálový 27 A 40 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 814-1272Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: SIR416DP-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

27 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

4.2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

69 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

6.25mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

59 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.26mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

1.12mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 11,16

€ 1,116 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET SIR416DP-T1-GE3 N-kanálový 27 A 40 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 11,16

€ 1,116 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET SIR416DP-T1-GE3 N-kanálový 27 A 40 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaBalík
10 - 90€ 1,116€ 11,16
100 - 240€ 1,051€ 10,51
250 - 490€ 0,949€ 9,49
500 - 990€ 0,893€ 8,93
1000+€ 0,838€ 8,38

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

27 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

40 V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

4.2 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

69 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Länge

6.25mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

59 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

5.26mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

1.12mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more