MOSFET SIR418DP-T1-GE3 N-kanálový 23 A 40 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
23 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
39 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.26mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
50 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 101,20
€ 1,012 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 101,20
€ 1,012 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 1,012 | € 10,12 |
| 250 - 490 | € 0,913 | € 9,13 |
| 500 - 990 | € 0,878 | € 8,78 |
| 1000+ | € 0,858 | € 8,58 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
23 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
6 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Maximální ztrátový výkon
39 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.26mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
50 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products