Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
4.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.89mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V, 8,8 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
4.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.04mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,92
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 0,92
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,92 | € 4,60 |
50 - 245 | € 0,88 | € 4,40 |
250 - 495 | € 0,65 | € 3,25 |
500 - 1245 | € 0,60 | € 3,00 |
1250+ | € 0,53 | € 2,65 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
19 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
4.8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.89mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V, 8,8 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
4.9mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.04mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku