řada: TrenchFETMOSFET SIR626DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 60 V, SO, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SO
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
104 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.26mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
68 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
1.12mm
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
SO
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
2.6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
104 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.26mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
68 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Höhe
1.12mm
Řada
TrenchFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products