MOSFET SIR632DP-T1-RE3 N-kanálový 29 A 150 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
29 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
41 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
69,5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.26mm
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-kanál, TrenchFET až do Gen III, Vishay polovodič
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,30
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,30
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,30 | € 6,50 |
| 50 - 120 | € 1,22 | € 6,10 |
| 125 - 245 | € 1,10 | € 5,50 |
| 250 - 495 | € 1,04 | € 5,20 |
| 500+ | € 0,97 | € 4,85 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
29 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
150 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
41 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
69,5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.26mm
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-kanál, TrenchFET až do Gen III, Vishay polovodič
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products