řada: TrenchFETMOSFET SIR680DP-T1-RE3 N-kanálový 100 A 80 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
104 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
69,5 nC při 10 V
Breite
5.26mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.12mm
Řada
TrenchFET
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,29
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1,29
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
80 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3,4 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
104 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
69,5 nC při 10 V
Breite
5.26mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.12mm
Řada
TrenchFET
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products