MOSFET SIR692DP-T1-RE3 N-kanálový 24,2 A 250 V, PowerPAK SO-8, počet kolíků: 8 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
24.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
67 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
104 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.26mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25,3 nC při 10 V
Länge
6.25mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.12mm
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-kanál, TrenchFET až do Gen III, Vishay polovodič
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,65
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,65
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,65 | € 8,25 |
| 50 - 120 | € 1,41 | € 7,05 |
| 125 - 245 | € 1,22 | € 6,10 |
| 250 - 495 | € 1,01 | € 5,05 |
| 500+ | € 0,79 | € 3,95 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
24.2 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
67 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
104 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.26mm
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
25,3 nC při 10 V
Länge
6.25mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.12mm
Propustné napětí diody
1.1V
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-kanál, TrenchFET až do Gen III, Vishay polovodič
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products