Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
104 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
102 nC při 10 V
Breite
5.26mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,63
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,63
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Řada
TrenchFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.8V
Maximální ztrátový výkon
104 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
+20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.25mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
102 nC při 10 V
Breite
5.26mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Propustné napětí diody
1.1V
Höhe
1.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku